JavaScript seems to be disabled in your browser.

You must have JavaScript enabled in your browser to utilize the functionality of this website. Click here for instructions on enabling javascript in your browser.

2xN-Ch 30V 5,5A 2,0W 0,031R SO8

Varenummer:144-378
Varekode:FDS6930B
Henter lager-information...
Henter lager-information fra leverandører...
Internet-pris
Inkl. moms
Kr. 37,54
v/5Kr. 16,68
v/25Kr. 12,43
v/100Kr. 9,60

FDS6930B 2xN-Ch 30V 5,5A 2,0W 0,031R SO8
Kanaltype N
Drain-strøm kontinuerlig maks. 5.5 A
Drain source spænding maks. 30 V
Drain source modstand maks. 38 mΩ
Mindste tærskelspænding for port 1V
Gate source spænding maks. -20 V, +20 V
Kapslingstype SOIC
Monteringstype Overflademontering
Transistorkonfiguration Isoleret
Benantal 8
Kanalform Enhancement
Effektafsættelse maks. 2000 mW
Driftstemperatur min. -55 °C
Gate-ladning ved Vgs typisk 2,7 nC ved 5 V
Højde 1.5mm
Serie PowerTrench
Driftstemperatur maks. +150 °C
Længde 5mm
Bredde 4mm
Transistormateriale Si
Antal elementer per chip 2
 
 
Produktfiler