N-Ch MOSFET 58A 30V, 3 ben, DPAK

Vi søger en ny lagerekspedient. klik her for at læse mere!

	Kanaltype	N
	Drain-strøm kontinuerlig maks.	58 A
	Drain source spænding maks.	30 V
	Drain source modstand maks.	0,009 Ω
	Maks. tærskelspænding for port	2.5V
	Gate source spænding maks.	±20 V
	Kapslingstype	DPAK
	Monteringstype	Overflademontering
	Transistorkonfiguration	Enkelt
	Benantal	3
	Kanalform	Enhancement
	Kategori	Effekt MOSFET
	Effektafsættelse maks.	2,63 W
	Indgangskapacitet ved Vds typisk	1456 pF ved 12 V
	Bredde	6.22mm
	Slukke-forsinkelsestid typisk	15,1 ns, 25,3 ns
	Længde	6.73mm
	Antal elementer per chip	1
	Tænd-forsinkelsestid typisk	7 ns, 12,3 ns
	Højde	2.38mm
	Driftstemperatur maks.	+175 °C
	Gate-ladning ved Vgs typisk	11 nC ved 4,5 V
	Driftstemperatur min.	-55 °C
	Dimensioner	6.73 x 6.22 x 2.38mm
	Transistormateriale	Si