Varenummer: | 136-030 |
Varekode: | IKW15T120 |
Vægt: | 8.3g |
Produkt: | |
Transistor polaritet: | |
Drain-Source spænding, max: | 0mV |
Continuous drain current, max: | 0mA |
Drain-Source On-modstand, Rds(on): | 0Ω |
Effekt, max.: | 0mW |
Komponenthus: |
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.
Technical Specifications
Part Nr. | UCES | IC25 | ICpuls | Ptot | UGE(th) | td(on) | td(off) |
[V] | [A] | [A] | [W] | [V] | [ns] | [ns] | |
IGW15N120H3 | 1200 | 30 | 60 | 217 | 5,0 | 21 | 260 |
IGW25N120H3 | 1200 | 50 | 100 | 326 | 5,0 | 27 | 277 |
IGW40N60H3 | 600 | 80 | 160 | 306 | 4,1 | 19 | 197 |
IGW40N65F5 | 650 | 74 | 120 | 255 | 3,2 | 19 | 160 |
IGW40N65H5 | 650 | 74 | 120 | 255 | 3,2 | 22 | 165 |
IKW15N120H3 | 1200 | 30 | 60 | 217 | 5,0 | 21 | 260 |
IKW15T120 | 1200 | 30 | 45 | 110 | 5,0 | 50 | 520 |
IKW25N120T2 | 1200 | 50 | 100 | 349 | 5,2 | 27 | 265 |
IKW25T120 | 1200 | 50 | 75 | 190 | 5,0 | 50 | 560 |
IKW40N65F5 | 650 | 74 | 120 | 255 | 3,2 | 19 | 160 |
IKW40N65H5 | 650 | 74 | 120 | 255 | 3,2 | 22 | 165 |
IKW40N120H3 | 1200 | 80 | 160 | 483 | 5,0 | 30 | 290 |
UCES = Max. Collector-Emitter Breakdown Voltage, IC25 = Max. Continuous Collector Current At TC = 25°C, ICpuls = Max. Pulsed Collector Current, Ptot = Power Dissipation, UGE(th) = Min. Gate Threshold Voltage, td(on) = Turn-On Delay Time, td(off) = Turn-Off Delay Time, TC = Case Temperature |