JavaScript seems to be disabled in your browser.

You must have JavaScript enabled in your browser to utilize the functionality of this website. Click here for instructions on enabling javascript in your browser.

1200V 30A 110W TO247
Varenummer:136-030
Varekode:IKW15T120
Vægt:8.3g
Henter lager-information...
Henter lager-information fra leverandører...
Internet-pris
Inkl. moms:
Kr. 36,16
v/10Kr. 36,04
v/25Kr. 35,59
v/100Kr. 34,31
IKW15T120

 

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Technical Specifications

               
Part Nr. UCES IC25 ICpuls Ptot UGE(th) td(on) td(off)
  [V] [A] [A] [W] [V] [ns] [ns]
IGW15N120H3 1200 30 60 217 5,0 21 260
IGW25N120H3 1200 50 100 326 5,0 27 277
IGW40N60H3 600 80 160 306 4,1 19 197
IGW40N65F5 650 74 120 255 3,2 19 160
IGW40N65H5 650 74 120 255 3,2 22 165
IKW15N120H3 1200 30 60 217 5,0 21 260
IKW15T120 1200 30 45 110 5,0 50 520
IKW25N120T2 1200 50 100 349 5,2 27 265
IKW25T120 1200 50 75 190 5,0 50 560
IKW40N65F5 650 74 120 255 3,2 19 160
IKW40N65H5 650 74 120 255 3,2 22 165
IKW40N120H3 1200 80 160 483 5,0 30 290
UCES = Max. Collector-Emitter Breakdown Voltage, IC25 = Max. Continuous Collector Current At TC = 25°C, ICpuls = Max. Pulsed Collector Current, Ptot = Power Dissipation, UGE(th) = Min. Gate Threshold Voltage, td(on) = Turn-On Delay Time, td(off) = Turn-Off Delay Time, TC = Case Temperature
Produktfiler
Del produkt
Del via E-Mail
Del på Facebook Del på Twitter