JavaScript seems to be disabled in your browser.

You must have JavaScript enabled in your browser to utilize the functionality of this website. Click here for instructions on enabling javascript in your browser.

  2. Komponenter
  3. Transistorer
  4. MOSFET
  5. FQA13N80

N-Ch 800V 12,6A 300W 0,58 TO-3PN

Varenummer:141-503
Varekode:FQA13N80
Lagervare!
Henter lager-information...
Henter lager-information fra leverandører...
Internet-pris
Ekskl. moms.
Kr. 47,88
v/10Kr. 44,06
v/25Kr. 40,18
v/100Kr. 36,25

FQA13N80 N-Ch 800V 12,6A 300W 0,58 TO-3PN
Produkt: MOSFET
Transistor polaritet: N-Ch
Drain-Source spænding, max: 800V
Continuous drain current, max: 12,6A
Drain-Source On-modstand, Rds(on): 0,58Ω
Effekt, max.: 300W
Komponenthus: TO-3PN

QFET® N-kanal MOSFET, 11 A til 30 A, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductors nye QFET® planar MOSFET'er bruger avanceret egenudviklet teknologi til at give den bedste driftsydelse i klassen til en lang række anvendelser herunder strømforsyninger, PFC (effektfaktorkorrektion), DC-DC-konvertere, plasmaskærme (PDP), forkoblinger til belysning og bevægelseskontrol.
De har reduceret ledetilstandstab ved at reducere modstanden ved tændt (RDS(on)), og færre skiftetab ved at sænke gate-opladning (Qg) og udgangskapacitet (Coss). Ved hjælp af avanceret QFET® procesteknologi kan Fairchild give en bedre Figure of Merit (FOM) i forhold til konkurrerende planar MOSFET-enheder.

MOSFET-transistorer, Fairchild Semiconductor

Fairchild har en betydelig portefølje af MOSFET-enheder, der omfatter højspændingstyper (>250 V) og lavspændingstyper (<250 V) typer. Den avancerede silicium-teknologi giver mindre kæbestørrelser, som de, der er indbygget i flere huse i industristandard og varmeforbedrede huse.
Fairchild MOSFET'er giver en fremragende pålidelighed i designet fra reducerede spændingsspidser og oversving, til lavere junction-kapacitet og omvendt genoprettelsesstrøm, for at overflødiggøre yderligere eksterne komponenter til at holde systemerne kørende længere.

Kanaltype N
Drain-strøm kontinuerlig maks. 12.6 A
Drain source spænding maks. 800 V
Drain source modstand maks. 750 mΩ
Mindste tærskelspænding for port 3V
Gate source spænding maks. -30 V, +30 V
Kapslingstype TO-3PN
Monteringstype Hulmontering
Benantal 3
Transistorkonfiguration Enkelt
Kanalform Enhancement
Kategori Effekt MOSFET
Effektafsættelse maks. 300000 mW
Driftstemperatur maks. +150 °C
Længde 15.8mm
Bredde 5mm
Antal elementer per chip 1
Dimensioner 15.8 x 5 x 18.9mm
Serie QFET
Højde 18.9mm
Transistormateriale Si
Tænd-forsinkelsestid typisk 60 ns
Driftstemperatur min. -55 °C
Gate-ladning ved Vgs typisk 68 nC ved 10 V
Indgangskapacitet ved Vds typisk 2700 pF ved 25 V
Slukke-forsinkelsestid typisk 155 ns
Varegrupper
Her kan du betale med